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今回開発されたMOSセンサーは、1/4型であれば従来タイプが35万画素だったのに対して、トランジスタ共有や配線構造の工夫によって200万画素を実現したもの。画素が捉える光を検出するトランジスタを、複数の画素で共有することで、従来は4画素あたり16個必要だったトランジスタを7個に削減。また画素1つのサイズが、従来の5.6μmから2.25μmと小型化されているという。 さらに配線回路に工夫を加えて、その数を半減させ、余裕が生まれた面積をフォトダイオードに割り当てることで、画質向上も実現している。これらの改良によって、動作電圧も従来の3.3Vから2.5Vへ低減させ、CCDセンサーに比べて1/5以下という電圧での駆動が可能になった。 同社では、2004年秋以降の量産を目指し、携帯電話など小型モバイル機器へ提供していく。 ■ ＵＲＬ ニュースリリース http://matsushita.co.jp/corp/news/official.data/data.dir/jn040215-1/jn040215-1.html ■ 関連記事 ・ 松下、低電力・高感度な携帯向け新型イメージセンサーを開発 （関口 聖） 2004/02/16 19:30 | ||||||
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