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米IBMと三菱電機は、次世代携帯電話向け低電力チップの共同開発を行なっていることを明らかにした。 共同開発が行なわれているのは、第三世代携帯電話向けの高周波集積回路のチップセット。三菱電機の回路・システム技術をベースに、IBMがシリコン・ゲルマニウム技術を用いて製造を行なう。IBMのシリコン・ゲルマニウム技術は、他の製造技術に比べてより省電力化されたチップを製造できるという。 三菱電機は、同社の次世代携帯電話にこのシリコン・ゲルマニウム技術によるチップセットを採用することにしており、IBMでは2001年第４四半期から同チップを三菱電機に対して供給する予定。 ・ プレスリリース http://www-6.ibm.com/jp/NewsDB.nsf/2001/05222 （白根 雅彦） 2001/05/22 20:24 | ||||||
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